型号:

PDTC114TT,215

RoHS:无铅 / 符合
制造商:NXP Semiconductors描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT23
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
PDTC114TT,215 PDF
标准包装 1
系列 -
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) 10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 200 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
频率 - 转换 -
功率 - 最大 250mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 TO-236AB
包装 剪切带 (CT)
其它名称 568-8091-1
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PDTC114TT,215 NXP Semiconductors TRANS NPN 50V 100MA SOT23
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